Im Projekt “All2GaN” (Affordable smart GaN IC solutions for greener applications) hat das Ziel das Energiesparpotenzial von hocheffizienten Leistungshalbleitern aus dem Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) voll auszuschöpfen und sie leicht in viele Anwendungen zu integrieren. Es werden leicht integrierbare Energiesparchips auf der Basis von Galliumnitrid entwickelt, die die Energieeffizienz um 30% im Vergleich zu anderen Halbleiter-Lösungen verbessern.
Im Forschungsprojekt arbeiten unter der Leitung von Infineon Austria 45 Partner aus 12 Ländern mit einem Gesamtbudget von rund 60 Millionen Euro zusammen. Das innBW Institut IMS CHIPS befasst sich im Projekt mit der Weiterentwicklung bestehender Ansätze zur vorteilhaften Prozessierung von GaN-Substraten. Dabei geht es insbesondere um die Strukturierung von GaN auf Wafern aus Siliziumkarbid/(SiC) und auf so genannten „engineered“-Substraten bis zu einer Größe von 200 mm.
Das Projekt ist eine direkte Antwort auf die Herausforderung des europäischen Green Deals und dessen Ziele, die Wirtschaft so umzugestalten, dass sie bis 2050 klimaneutral wird, ohne das Wirtschaftswachstum zu behindern. Es soll direkt zu Energieeinsparungen und innovativen grünen Technologien sowie zu einer weltweit wettbewerbsfähigen und widerstandsfähigen europäischen Industrie beitragen. Das Projekt läuft vom Mai 2023 bis April 2026.
Über IMS CHIPS:
Das Institut für Mikroelektronik Stuttgart (IMS CHIPS) ist eine gemeinnützige Stiftung im Land Baden-Württemberg und betreibt wirtschaftsnahe Forschung auf den Gebieten Siliziumtechnologie, Nanostrukturierung, Anwenderspezifische Schaltkreise (ASICs) und Bildsensorik. Das Institut ist Partner kleiner und mittlerer Unternehmen insbesondere in Baden-Württemberg und arbeitet mit international führenden Halbleiterunternehmen und Zulieferern zusammen. Am IMS CHIPS arbeiten rund 100 Mitarbeiter und Gastwissenschaftler in den Bereichen Mikroelektronik, Mikrosystemtechnik und Nanostrukturierung.
